专营*童MOS管F*11N60NT 11n60

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.255 Ohms at 10 V   
 
正向跨导 gFS(*大值/*小值) :  13.5 S   
 
汲*/源*击穿电压:  600 V   
 
漏*连续电流:  6.8 A to 10.8 A   
 
功率耗散:  32.1 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

F*11N60NT

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

33(V)

夹断电压

2(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

33(mA)

耗散功率

33(mW)