ON三*管大功率晶体管 MJD45H11 MJD45H11T4G D45H11

地区:广东 深圳
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ON三*管大功率晶体管 MJD45H11  MJD45H11T4G  D45H11

ON三*管大功率晶体管 MJD45H11  MJD45H11T4G  D45H11

 

制造商:  ON Semiconductor   
 
产品种类:  双*小信号   
 
RoHS:  否  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  PNP   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  TO-252-3 (DPAK)   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  80 V   
 
发射* - 基*电压 VEBO:  5 V   
 
集电*连续电流:  8 A   
 
*大直流电集电*电流:  8 A   
 
功率耗散:  20 W   
 
*大工作频率:  90 MHz   
 
*大工作温度:  150 C   
 
封装:  Tube   
 
DC Collector/Base Gain hfe Min:  60 at 2 A at 1 V  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 

加工定制

品牌/商标

ON/安森美

型号/规格

MJD45H11 MJD45H11T4G D45H11

应用范围

放大

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

23(V)

集电*允许电流ICM

22(A)

集电*耗散功率PCM

22(W)

截止频率fT

33(MHz)

结构

点接触型

封装形式

直插型

封装材料

金属封装