【ST*原装场效应管】STP20NM60FP P20NM60FP

地区:广东 深圳
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【ST*原装正品场效应管】STP20NM60FP  P20NM60FP

 

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STP20NM60FP  P20NM60FP产品规格  参数

 

Datasheets STx20NM60(-1,FP)
Product Photos TO-220AB
Catalog Drawings ST Series TO-220FP, TO-*F
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series MDmesh™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Power - Max 45W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220FP
Packaging Tube
Catalog Page 1322 (US2011 Interactive)
1322 (US2011 PDF)
Other Names 497-2771-5

品牌

ST/意法

型号

STP20NM60FP P20NM60FP

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SENSEFET电流敏感

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)