【ST*原装场效应管】STP80NF06 P80NF06现货

地区:广东 深圳
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【ST*原装场效应管】STP80NF06  P80NF06

 

【ST*原装场效应管】STP80NF06  P80NF06

 

STP80NF06  P80NF06产品规格  参数

 

Datasheets STx80NF06
Product Photos TO-220 Pkg
Catalog Drawings ST Series TO-220
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series STripFET™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3850pF @ 25V
Power - Max 300W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1319 (US2011 Interactive)
1319 (US2011 PDF)
Other Names 497-3201-5

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封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

STP80NF06 P80NF06

材料

P-FET硅P沟道

用途

MOS-HBM/半桥组件

品牌/商标

ST/意法

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型