IRF540NS贴片场效应管

IRF540NS 产品规格 参数 PDF

数据列表 IRF540N(S,L)PbF
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRF540NSPBF Saber Model
IRF540NSPBF Spice Model
标准包装   800
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装   带卷 (TR) 
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 33A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1960pF @ 25V
功率 - *大值 130W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF540NSTRLPBF-ND
IRF540NSTRLPBFTR

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