ST*原装 *无铅场效应管 STF6NM60N F6NM60N

地区:广东 深圳
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ST*原装 *无铅场效应管 STF6NM60N  F6NM60N

 

ST*原装 *无铅场效应管 STF6NM60N  F6NM60N

 

STF6NM60N  F6NM60N产品规格  参数

 

Datasheets STx6NM60N
Product Photos TO-220FP Pkg
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series MDmesh™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 420pF @ 50V
Power - Max 20W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220FP
Packaging Tube

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品牌

ST/意法

型号

STF6NM60N F6NM60N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)