供应HGTP5N120BND *童IGBT单路三*管 1200V

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺



制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  1200 V   
 
集电*—射*饱和电压:  2.45 V   
 
栅*/发射**大电压:  /- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  21 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  /- 250 nA   
 
功率耗散:  167 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-220AB   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole 

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

HGTP5N120BND

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

IGBT*缘栅比*

集电*允许电流ICM

40A

封装形式

TO-220

应用范围

带阻尼