供应HGTP5N120BND *童IGBT单路三*管 1200V
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 1200 V
集电*—射*饱和电压: 2.45 V
栅*/发射**大电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 21 A
栅*—射*漏泄电流: /- 250 nA
功率耗散: 167 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
FAIRCHILD/*童
HGTP5N120BND
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
IGBT*缘栅比*
40A
TO-220
带阻尼