ST*原装场效应三*管系列 STB21NM60ND B21NM60ND

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺

ST*原装场效应三*管系列 STB21NM60ND  B21NM60ND

 

ST*原装场效应三*管系列 STB21NM60ND  B21NM60ND

 

STB21NM60ND  B21NM60ND产品规格  参数

 

Datasheets STX21NM60ND
Product Photos D2PAK, TO-263
Catalog Drawings ST Series D2PAK
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series FDmesh™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 50V
Power - Max 140W
Mounting T*e Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Catalog Page 1321 (US2011 Interactive)
1321 (US2011 PDF)
Other Names 497-8471-2

"
品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STB21NM60ND B21NM60ND

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

33(V)

夹断电压

33(V)

跨导

33(μS)

*间电容

33(pF)

低频噪声系数

3(dB)

漏*电流

33(mA)

耗散功率

3(mW)