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STW25NM60N W25NM60N产品规格 参数
数据列表 STx25NM60ND
产品相片 TO-247 Pkg
产品目录绘图 ST Series TO-247
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 FDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏*至源*电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 21A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 160 毫欧 @ 10.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2400pF @ 50V
功率 - *大 160W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-8455-5
ST意法半导体/STW25NM60N W25NM60N
结型JFET
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
*肖特基势垒栅
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)
N沟道
耗尽型