NPN 达林顿 三极管 TIP122

地区:江苏 无锡
认证:

无锡固电半导体股份有限公司

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DESCRIPTION·High DC Current Gain-: hFE= 1000(Min)@IC=3A·Collector-Emitter Sustaining Voltage-  : VCEO(SUS)= 100V(Min)·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-  :VCE(sat)=
2.0V(Max)@ IC=3A=
4.0V(Max)@ IC=5A·Complement to Type TIP127 APPLICATIONS·Designed for general purpose amplifier and low speedswitching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)SYMBOLPARAMETERVALUEUNITVCBOCollector-Base Voltage100VVCEOCollector-Emitter Voltage100VVEBOEmitter-Base Voltage5VICCollector Current-Continuous5AICMCollector Current-Peak8AIBBase Current120mAPCCollector Power DissipationTC=25℃65WCollector Power DissipationTa=25℃2TjJunction Temperature150℃TstgStorageTemperature Range-65~150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITVCEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining VoltageIC= 0.1A, IB= 0100
VVCE(sat)-1Collector-Emitter Saturation VoltageIC= 3A ,IB= 12mA
2.0VVCE(sat)-2Collector-Emitter Saturation voltageIC= 5A ,IB= 20mA
4.0VVBE(on)Base-Emitter On VoltageIC=
3.0A ; VCE= 3V
2.5VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= 100V, IE= 0
0.2mAICEOCollector Cutoff CurrentVCE= 50V, IB= 0
0.5mAIEBOEmitter Cutoff CurrentVEB= 5V; IC= 0
2mAhFE-1DC Current GainIC= 0.5A ; VCE= 3V1000
hFE-2DC Current GainIC=
3.0A ; VCE= 3V1000
COBOutput CapacitanceIE= 0 ; VCB= 10V,f= 0.1MHz
200pF
品牌/型号

isc/iscsemi/TIP122

应用范围

达林顿

功率特性

大功率

频率特性

超高频

极性

NPN型

封装形式

TO-220

封装材料

塑料封装

集电极允许电流

5(A)

集电极允许耗散功率

65(W)

营销方式

厂家直销

产品性质

热销

结构

平面型

材料

硅Si