无锡固电ISC 供应三极管2SA882

地区:江苏 无锡
认证:

无锡固电半导体股份有限公司

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DESCRIPTION                

·High Power Dissipation-

: PC= 100W(Max.)@TC=25

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -130V(Min.)

 

 

APPLICATIONS

·Designed for power and switching applications.

 

 

Absolute maximum ratings(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

-130

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-130

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collector Current-Continuous  

-7

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

100

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-65~200

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -30mA; IB= 0

-130

 

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -3A; IB= -0.3A

 

 

-1.0

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -7A; IB= -1.5A

 

 

-3.0

V

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC= -3A; VCE= -4V

 

 

-1.6

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -130V; IE= 0

 

 

-0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V; IC= 0

 

 

-0.1

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= -1A; VCE= -4V

40

 

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= -3A; VCE= -4V

20

 

 

 

 

是否提供加工定制

品牌/商标

ISC

型号/规格

2SA882

应用范围

放大

材料

硅(Si)

极性

PNP型

结构

平面型

封装形式

直插型

封装材料

金属封装