MOSFET BSC252N10NSFGATMA1 Infineon

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 19.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 2  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 18 S  

下降时间: 4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 21 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 16 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

零件号别名: BSC252N10NSF BSC252N1NSFGXT G SP000379608  

单位重量: 159 mg

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。