MOSFET FDMC8462 ON原装

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-33-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 15 nC, 30 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.8 mm  

长度: 3.3 mm  

系列: FDMC8462  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 3.3 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 3 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns  

单位重量: 32.130 mg

折叠MOSFET的结构

一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个n-type MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义：⑴N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在右图中没有“+”。

对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让n-type半导体的多数载子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载子也无法在源极与漏极之间流动。