MOSFET STE250NS10 ST 原装

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: ISOTOP-4

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 220 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 9.1 mm  

长度: 38.2 mm  

系列: STE250NS10  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 25.5 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 最小值: 60 S  

下降时间: 300 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 380 ns  

工厂包装数量: 10  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 1100 ns  

典型接通延迟时间: 110 ns  

单位重量: 28 g  

      金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。