MOSFET STL90N6F7 ST 原装现货

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 25 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

商标名: STripFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: STL90N6F7  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 7.8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 17.6 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 24.4 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。

金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。