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产品属性
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 370 W
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
零件号别名: SP001570598
单位重量: 6 g
IRFB4110PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管装
1825+
25000
MOSFET BSC252N10NSFGATMA1 Infineon
新洁能 NCE55P04S -55V -4A 3W P沟道 双路增强型功率
MOSFET FDA28N50F TO-3PN-3 ON
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