MOSFET SPB11N60C3 Infineon 原装

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

高度: 4.4 mm  

长度: 10 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 9.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 8.3 S  

下降时间: 5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 44 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: SP000013519 SPB11N60C3ATMA1 SPB11N6C3XT  

单位重量: 4 g  

一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个n-type MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义：⑴N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在右图中没有“+”。