MOSFET SPB11N60C3 Infineon 原装

地区:广东 深圳
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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

高度: 4.4 mm  

长度: 10 mm  

系列: CoolMOS C3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 9.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 8.3 S  

下降时间: 5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 44 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: SP000013519 SPB11N60C3ATMA1 SPB11N6C3XT  

单位重量: 4 g  


一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个n-type MOSFET(以下简称NMOS)的截面图。如前所述,MOSFET的核心是位于中央的MOS电容,而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type(即NMOS)或是同为p-type(即PMOS)。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义:⑴N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavily doped region),也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开,也就是所谓的基极(或称基体)区域。如果是NMOS,那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言,基体应该是n-type,而源极与漏极则为p-type(而且是重掺杂的P+)。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高,故在右图中没有“+”。


型号/规格

SPB11N60C3

品牌/商标

Infineon

封装形式

PG-TO-263-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率