MOSFET FDA28N50F TO-3PN-3 ON

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3PN-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 28 A

Rds On-漏源导通电阻: 175 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 310 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: UniFET

封装: Tube

高度: 20.1 mm  

长度: 16.2 mm  

系列: FDA28N50F  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 101 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 137 ns  

工厂包装数量: 450  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 192 ns  

典型接通延迟时间: 67 ns  

单位重量: 6.401 g  

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。