MOSFET FDN5618P ON 原装

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 1.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

高度: 1.12 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: FDN5618P  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.4 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 最小值: 4.3 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 8 ns  

HTS代码: 8541210095  

MXHTS: 85412101  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 8 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

典型关闭延迟时间: 16.5 ns  

典型接通延迟时间: 6.5 ns  

零件号别名: FDN5618P_NL  

单位重量: 30 mg

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

基本信息

中文名称 金属-氧化层 半导体场效晶体管

外文名称 MOSFET

核心 金属—氧化层—半导体电容

发明时间 1960年

发明人 D. Kahng和 Martin Atalla

发明机构 贝尔实验室（Bell Lab.）