原装英飞凌IR IRFP260NPBF N沟道功率MOSFET

原装英飞凌IR IRFP260NPBF N沟道功率MOSFET

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-247

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 156 nC

工作温度: - 55℃——+ 175℃

Pd-功率耗散: 300 W

N沟道MOSFET IRFP260NPBF利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，为设计者提供了一个非常高效可靠的MOS管，适用于功率耗散约50瓦的商业工业应用中。