供应东沅场效应管 FKBA8070 N沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA8070 PRPAK5x6 N沟道80V快速开关MOSFET

FKBA8070电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）

● 漏极-源极击穿电压：80V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=10A: 3.6~5mΩ
VGS=4.5V，ID=10A: 5.1~7mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.3V
● 漏源漏电流
VDS=64V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=64V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 栅极电阻：1.4Ω
● 闸门总费用：52.7nC
● 栅极-源极电荷：7.8nC
● 栅极漏极电荷：12.5nC
● 开机延迟时间：10ns
● 上升时间：37秒
● 关闭延迟时间：42ns
● 秋季时间：68ns
● 输入电容：2792pF
● 输出电容：639pF
● 反向传输电容：9.5pF

FKBA8070产品规格书（部分）