供应东沅 FKBA3202 N沟道场效应管MOSFET

Fet/东沅 FKBA3202 PRPAK5x6 双N沟道快速开关MOSFET

FKBA3202电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=10A: 15~18mΩ
VGS=4.5V，ID=10A: 21~30mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.3V
● 漏源漏电流
VDS=30V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=30V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：12S
● 栅极电阻：2.5Ω
● 栅极总电荷（10V）：9～14.8nC
● 栅极总电荷（4.5V）：4.5~7.8nC
● 栅极-源极电荷：1.85~3.2nC
● 栅漏电荷：1.55~2.7nC
● 开机延迟时间：7ns
● 上升时间：13ns
● 关闭延迟时间：19ns
● 秋季时间：3.2ns
● 输入电容：489~733pF
● 输出电容：76~105pF
● 反向转移电容：56~84pF

FKBA3202二极管特性
● 连续电源电流：10A
● 二极管正向电压：1V

产品规格书（部分）