供应FKBA0020A 东沅100V单N沟道MOS管

Fet/东沅 FKBA0020A PRPAK5x6 N通道100V快速开关MOSFET

FKBA0020A电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：100V
● 参考温度系数：0.09V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=13.5A：
VGS=4.5V，ID=11.5A:13mΩ
● 栅极阈值电压：2.0~4.5V
● 温度系数：-5mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=80V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=80V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：58S
● 栅极电阻：3.0Ω
● 总栅极电荷（10V）：48.5nC
● 栅极-源极电荷：13.7nC
● 栅极-漏极电荷：18.9nC
● 开机延迟时间：22ns
● 上升时间：30ns
● 关闭延迟时间：40ns
● 秋季时间：12ns
● 输入电容：2947pF
● 输出电容：390pF
● 反向传输电容：177pF

FKBA0020A二极管特性
● 连续电源电流：60A
● 二极管正向电压：1.2V
● 反向恢复时间：29.5nS
● 反向回收电荷：35nC

产品规格书（部分）