供应FKD3004 东沅N沟道MOSFET 封装TO252

Fet/东沅 FKD3004 TO252 N沟道快速开关MOSFET

FKD3004额定参数

● 漏极-源极电压：30V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TA=25℃：55A
ID@TA=70℃：40A
ID@TA=25℃：13.6A
ID@TA=70℃：11.4A
● 脉冲漏极电流：110A
● 单脉冲雪崩能量：57.8mJ
● 雪崩电流：34A
● 总功耗
PD@TC=25℃：41W
PD@TA=25℃：2.42W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

FKD3004电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏源击穿电压：30V
●参考温度系数：0.027V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=30A:7.5~8.5mΩ
VGS=4.5V，ID=15A:11~14mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.5V
●温度系数：-5.8mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=24，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=24V，VGS=0V，TJ=125℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：38S
●栅极电阻：2.2~3.5mΩ
● 闸门总电荷：12.6~17.6nC
● 栅极-源极电荷：4.2~5.9nC
● 栅漏电荷：5.1~7.1nC
● 开机延迟时间：4.6~9.2ns
● 上升时间：12.2～22ns
● 关机延迟时间：26.6~53ns
● 秋季时间：8~16ns
● 输入电容：1317~1843pF
● 输出电容：163~228pF
● 反向转移电容：131～183pF

产品规格书（部分）