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产品属性
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GigaDevice GD25D05CEIGR FLASH
制造商
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号
GD25D05CEIGR
GigaDevice GD25D05CEIGR FLASH
一般信息
数据列表 GD25D05C, GD25D10C Datasheet;
Product Selection Guide;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 1970-1001-2
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 512Kb (64K x 8)
存储器接口 SPI - 双 I/O
时钟频率 100MHz
写周期时间 - 字,页 50μs,4ms
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-USON(2x3)
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
GD25D05CEIGR
GigaDevice
8-USON(2x3)
20+
512Kb (64K x 8)
2.7V ~ 3.6V
24CW640-I/SN Microchip EEPROM
IS43TR16256BL-107MBL ISSI SDRAM
W632GU6NB-12 Winbond SDRAM
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR Micron FLASH
Micron MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F 闪存
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron SDRAM
AS4C128M16D3LB-12BCN Alliance SDRAM
Microchip EEPROM 25LC512-I/SN
Winbond W632GU6NB12I SDRAM
IS42S16320D-7TL-TR ISSI SDRAM