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产品属性
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Winbond W632GU6NB12I SDRAM
制造商
Winbond Electronics
制造商零件编号
W632GU6NB12I
Winbond W632GU6NB12I SDRAM
一般信息
数据列表 W632GU6NB;
标准包装 198
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 2Gb (128M x 16)
存储器接口 并联
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 20ns
电压 - 供电 1.283V ~ 1.45V
工作温度 -40°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 96-VFBGA
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
Winbond W632GU6NB12I SDRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
W632GU6NB12I
Winbond
96-VFBGA(7.5x13)
20+
2Gb (128M x 16)
1.283V ~ 1.45V
IS29GL256-70SLET ISSI FLASH
AS4C128M16MD2A-25BIN Alliance SDRAM
Cypress FLASH S29GL01GT12DHVV10
Micron MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR SDRAM
S25FL128LAGMFV013 Cypress 闪存
AS4C256M16D3LB-10BIN Alliance SDRAM
ISSI IS42S16320F-7BLI-TR DRAM
Alliance AS4C256M16D3LB-12BAN SDRAM
Rohm BR93G46F-3AGTE2 EEPROM
MT48LC4M16A2P-6AIT:J Micron SDRAM