图文详情
产品属性
相关推荐
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR Micron FLASH
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR Micron FLASH
一般信息
数据列表 MT25QL512ABB;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 MT25QL512ABB8E12-1SIT TR-ND
MT25QL512ABB8E12-1SITTR
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 512Mb (64M x 8)
存储器接口 SPI
时钟频率 133MHz
写周期时间 - 字,页 8ms,2.8ms
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 24-TBGA
供应商器件封装 24-T-PBGA(6x8)
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR
Micron
24-T-PBGA(6x8)
20+
- 字,页 8ms,2.8ms
2.7V ~ 3.6V
MT46V32M16CY-5B IT:J SDRAM Micron
MT47H128M8SH-25E IT:M Micron 存储器
W632GG6NB-12 TR Winbond SDRAM
Micron MT41K512M8DA-107 AIT:P SDRAM
ISSI IS25LP016D-JULE-TR 闪存
CY14B104NA-ZS45XE Cypress NVSRAM
ISSI IS43TR16128BL-125KBL SDRAM
GD25Q16CWIGR GigaDevice FLASH
SDRAM Alliance AS4C256M16D3LB-10BCN
24CW640T-I/MUY Microchip EEPROM