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产品属性
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W632GG6NB-12 TR Winbond SDRAM
制造商
Electronics
制造商零件编号
W632GG6NB-12 TR
W632GG6NB-12 TR Winbond SDRAM
一般信息
数据列表 W632GG6NB;
标准包装 3,000
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 256-W632GG6NB-12TR
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3
存储容量 2Gb (128M x 16)
存储器接口 SSTL_15
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 20ns
电压 - 供电 1.425V ~ 1.575V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 96-VFBGA
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
W632GG6NB-12 TR Winbond SDRAM
产品图:
公司简介
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
W632GG6NB-12 TR
Winbond
96-VFBGA(7.5x13)
20+
2Gb (128M x 16)
1.425V ~ 1.575V
Micron MT25QU01GBBB8E12-0AAT 闪存
BR93G56FJ-3GTE2 EEPROM Rohm
IS25LP016D-JKLE-TR 闪存 ISSI
IS43TR16256BL-107MBL ISSI SDRAM
IS42SM16160K-6BLI-TR ISSI SDRAM
AS4C256M8D3LB-12BIN Alliance SDRAM
IS29GL128-70SLET ISSI FLASH
Micron MT53E128M32D2DS-053 AUT:A SDRAM
MT46V32M16CY-5B IT:J Micron SDRAM
ISSI IS43TR16128D-107MBLI SDRAM