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产品属性
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GD25Q16CWIGR GigaDevice FLASH
制造商
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号
GD25Q16CWIGR
GD25Q16CWIGR GigaDevice FLASH
一般信息
数据列表 GD25Q16C Datasheet;
Product Selection Guide;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 1970-1031-2
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 16Mb (2M x 8)
存储器接口 SPI - 四 I/O
时钟频率 120MHz
写周期时间 - 字,页 50μs,2.4ms
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-WSON(5x6)
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
GD25Q16CWIGR
GigaDevice
8-WSON(5x6)
20+
16Mb (2M x 8)
2.7V ~ 3.6V
Alliance SDRAM AS4C32M32MD2A-25BIN
Alliance AS4C256M16D3LB-12BAN SDRAM
ISSI 闪存 IS25LP080D-JULE-TR
Alliance SDRAM AS4C32M16MSA-6BIN
Micron MT41K512M8DA-107 AIT:P SDRAM
Microchip EEPROM 25LC512-I/SN
Winbond SDRAM W9812G6KH-6
Alliance SDRAM AS4C64M8D3-12BCN
Micron SDRAM MT40A512M16LY-062E IT:E
Micron MT41K64M16TW-107 AIT:J TR SDRAM