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产品属性
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W632GU6NB-12 Winbond SDRAM
制造商
Winbond Electronics
制造商零件编号
W632GU6NB-12
W632GU6NB-12 Winbond SDRAM
一般信息
数据列表 W632GU6NB;
标准包装 198
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 2Gb (128M x 16)
存储器接口 并联
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 20ns
电压 - 供电 1.283V ~ 1.45V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 96-VFBGA
供应商器件封装 96-VFBGA(7.5x13)
W632GU6NB-12 Winbond SDRAM
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
W632GU6NB-12
Winbond
96-VFBGA(7.5x13)
20+
2Gb (128M x 16)
1.283V ~ 1.45V
Micron MT41K128M16JT-107 IT:K TR SDRAM
Cypress FLASH S25FL256LAGMFI000
Micron 闪存 MT28FW02GBBA1HPC-0AAT
Alliance AS4C64M4SA-6TINTR SDRAM
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron SDRAM
24CW640-I/SN Microchip EEPROM
CY7C1061G30-10ZSXIT Cypress SRAM
Micron MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR SDRAM
W9816G6JH-6I TR Winbond SDRAM
SDRAM MT48LC8M8A2P-7E:G Micron