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产品属性
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Micron MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F 闪存
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
Micron MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F 闪存
一般信息
标准包装 1,260
包装 托盘
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 闪存 - NAND
存储容量 1Gb(128M x 8)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 -
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 63-VFBGA
供应商器件封装 63-VFBGA(9x11)
产品图:
公司简介:
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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
Micron
63-VFBGA
20+
1Gb(128M x 8)
2.7V ~ 3.6V
MT46V32M16P-5B:J TR Micron SDRAM
Alliance AS4C128M8D2A-25BIN SDRAM
Rohm EEPROM BR24A32F-WLBH2
W9816G6JH-6I TR Winbond SDRAM
AS4C64M16D2A-25BCN Alliance SDRAM
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron SDRAM
Cypress S25FL128LAGMFB010 FLASH
MT18VDDF12872Y-40BJ1 Micron SDRAM
S29GL01GT10TFI013 Cypress 闪存
EEPROM BR93G66FJ-3GTE2 Rohm