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产品属性
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EEPROM BR93G66FJ-3GTE2 Rohm
制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
BR93G66FJ-3GTE2
EEPROM BR93G66FJ-3GTE2 Rohm
一般信息
数据列表 BR93G66-3;
SOP-J8 Taping Spec;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 存储器
系列 -
其它名称 BR93G66FJ-3GTE2TR
规格
存储器类型 非易失
存储器格式 EEPROM
技术 EEPROM
存储容量 4Kb (256 x 16)
存储器接口 SPI
时钟频率 3MHz
写周期时间 - 字,页 5ms
电压 - 供电 1.7V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP-J
产品图:
公司简介:
昴泽(深圳)实业有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体)、等等。
BR93G66FJ-3GTE2
Rohm
8-SOP-J
20+
4Kb (256 x 16)
1.7V ~ 5.5V
Micron MT46V32M16P-5B:J SDRAM
AT24CSW020-UUM0B-T EEPROM Microchip
ISSI 闪存 IS25LP080D-JULE-TR
ISSI IS42S16100H-7BLI-TR SDRAM
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C Micron 闪存
Micron 闪存 MT28FW02GBBA1HPC-0AAT
Cypress S25FL064LABMFB010 FLASH
Alliance SDRAM AS4C256M16D3B-12BIN
ISSI IS43TR16512BL-125KBLI SDRAM
MT41K512M8DA-107 AAT:P Micron SDRAM