场效应管 AOTF6N90,TF6N90

AOTF6N90,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.2Ω

产品型号:AOTF6N90

概述
该AOTF6N90采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在AC-DC转换应用中提供较高的性能和稳定性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss以及雪崩能力保证这零件可通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。

应用范围：
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * HID灯
 * 节能灯镇流器
 * 逆变器

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1196 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):160

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

上升时间Tr(ns):58 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ.

下降时间Tf(ns):49 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:900V,6A,2.2Ω N-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)