主板场效应管060N03 IPD060N03LG

产品型号:IPD060N03LG
OptiMOS Power-Transistor
说明：
有了全新的OptiMOS 30V产品系列，英飞凌在分立功率MOSFET和系统级封装的功率密度和能源效率，

树立了新的标准。
超低栅极和输出电荷，通态电阻在小型封装为OptiMOS 25V电压稳压器解决方案在服务器，数据

通信和电信应用的苛刻要求的最佳选择。30V的OptiMOS 产品是针对改善EMI行为，以及增加电池寿

命的笔记本电脑的电源管理的需求。
可在半桥配置（3x3的功率级，功率级5X6）

特点
 * 快速开关MOSFET的开关电源
 * 优化技术的DC / DC转换器
 * 符合到JEDEC1）为目标的应用
 * N沟道逻辑电平
 * 优秀的栅极电荷 R DS（ON）产品（FOM）
 * 非常低的导通电阻R DS（ON）
 * 额定雪崩
 * 无铅电镀，符合RoHS标准

优点：
增加电池寿命
改善EMI性能使外部缓冲网络过时
节约成本
节省空间
减少功率损耗

封装:SOT-252

品牌：infineon/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):56

输入电容Ciss(PF):1800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：69

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60

导通延迟时间Td(on)(ns):5 typ.

上升时间Tr(ns):4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.

下降时间Tf(ns):3 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:IPD060N03LG,30V,50A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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