场效应管 SSM3J112TU,JJ5

SSM3J112TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-1.1A,0.39Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用

特点：
 * 2.0V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             ：Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             ：Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V))

产品型号:SSM3J112TU

封装:SOT-323

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-1.1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -10 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.8

功率PD(W):0.8

输入电容Ciss(PF):86 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(ms)：1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):8.5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J112TU，-30V,-1.1A P-沟道增强型场效应晶体管

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