场效应管 TK150F04K3,K150F04K3

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金城微零件 场效应系列

 

TK150F04K3,SOT-263,SMD/MOS,N场,40V,150A,0.0021Ω

 

产品型号:TK150F04K3


TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV)

 

应用:
 * 开关稳压器,DC-DC转换器应用
 * 电机驱动应用

特点解:
 * 低漏源导通电阻RDS(ON)=1.7mΩ(TYP.)
 * 高正向转移导纳:|YFS|=210 S(TYP.)
 * 低漏电流IDSS=10μA(最大值)(VDS= 40 V)
 * 增强模式:VTH =3.0--4.0 V(VDS=10V,ID= 1 mA)

封装:SOT-263

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):150

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0021 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):300

输入电容Ciss(PF):7500 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):210

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234

导通延迟时间Td(on)(ns):48 typ.

上升时间Tr(ns):32 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):43 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:TK150F04K3,40V,150A N-沟道增强型场效应晶体管


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型号封装品牌类型极性电压电流电阻启动电压
STB80NF03LT4SOT-263STSMD/MOSN场30V80A0.004Ω3V
B80NF03LSOT-263STSMD/MOSN场30V80A0.004Ω3V
IRL2703STRLSOT-263IRSMD/MOSN场30V20A0.04Ω3V
IRF3709STRRSOT-263IRSMD/MOSN场30V90A0.009Ω3V
SPB80N03S2-03SOT-263InfineonSMD/MOSN场30V80A0.0034Ω4V
2N0303SOT-263InfineonSMD/MOSN场30V80A0.0034Ω4V
IRF3707ZSSOT-263IRSMD/MOSN场30V59A0.0095Ω2.25V
STB70NF03LT4SOT-263STSMD/MOSN场30V75A0.0095Ω 
B70NF03LSOT-263STSMD/MOSN场30V75A0.0095Ω 
APM3055NSOT-263茂达SMD/MOSN场30V12A0.1Ω2V
FDB6670ALSOT-263FAIRCHILDSMD/MOSN场30V80A0.0065Ω3V
FDB6035ALSOT-263FAIRCHILDSMD/MOSN场30V48A0.012Ω3V
HUF76132S3STSOT-263FAIRCHILDSMD/MOSN场30V75A0.011Ω3V
RF1S70N03SM9ASOT-263FAIRCHILDSMD/MOSN场30V70A0.01Ω4V
F1S70N03SOT-263FAIRCHILDSMD/MOSN场30V70A0.01Ω4V
AP60T03GSSOT-263AP/富鼎SMD/MOSN场30V45A0.012Ω3V

 

封装外形

CHIP/小型片状

型号/规格

TK150F04K3,SOT-263,SMD/MOS,N场,40V,150A,0.0021Ω

用途

S/开关

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

耗尽型