供应场效应管 AOD484 *缘栅(MOSFET) N沟道 美国万代 ASO原装
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上 海 继 阳 电 子 科 技 有 限 公 司
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标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单路 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 20A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 25A |
Id 时的 Vgs(th)（*大） | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 15V |
功率 - *大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装 | 带卷 (TR) |
AOS/美国万代
AOD484
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
