供应FQP5N80 TO-220-3 4.8A 代理FAIRCHILD（*童）供应商
地区：上海 上海市
认证：
无
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产品属性
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上 海 继 阳 电 子 科 技 有 限 公 司
详细参数
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FQP5N80 PDF下载 |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 4.8A |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.6 欧姆 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（*大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1250pF @ 25V |
| 功率 - *大 | 140W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 包装 | 管件 |
FAIRCHILD/*童
FQP5N80
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
2013
TO-220-3
