现货供应AO4822A 增强型 线性 *缘栅(MOSFET) N沟道 AOS原装
地区：上海 上海市
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上 海 继 阳 电 子 科 技 有 限 公 司
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类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 8.5A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 6.8A |
Id 时的 Vgs(th)（*大） | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 15V |
功率 - *大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | 剪切带 (*) |
AOS/美国万代
AO4822A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
