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IRFH4213D MOS-INM/*组件 IR/国际整流器 N沟道 *缘栅(MOSFET) 增强型Specifications Parameter Value Package PQFN 5 x 6 B Circuit with Schottky VBRDSS (V) 25 VGs Max (V) 20 RDS(on) Max 4.5V (mOhms) 1.9 RDS(on) Max 10V (mOhms) 1.35 ID @ TC = 25C (A) 100 ID @ TC = 100C (A) 100 Qg T* (nC) 25.0 Qgd T* (nC) 9.4 Rth(JC) (C/W) 1.3 Tj Max 150 Power Dissipation @ TC = 25C (W) 96 Power Dissipation @ TA = 25C (W) 3.60 Part Status Active and Preferred Qual Level Industrial MSL 1 Environmental Options Available PbF Package Cl* Can Surface Mount without Leads Packaging Options Product ID Description Status Standard
Pack1K Budgetary
Pricing (USD)Qty IRFH4213DTRPBF Tape and Reel Active 4000 $0.67