现货供应 IRF640NLPBF IRF640NPBF 3脚直插 IR场效应管 原装*

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IR LOGO 3

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更多参数信息:

 

标准包装

50

类别

分离式半导体产品

家庭

FET - 单

系列

HEXFET®

FET 型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点

标准型

漏*至源*电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

18A

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

150 毫欧 @ 11A, 10V

Id 时的 Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

67nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1160pF @ 25V

功率 - *大

150W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商设备封装

TO-262

包装

管件

 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

IRF640NLPBF

材料

N-FET硅N沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

IR/国际整流器

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型