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由于芯片种类繁多,更多详细信息不能一一描述,如您需要了解更多产品详细信息或需要技术咨询,您可以联系我们在线销售人员,或拔打我们的销售咨询: 技术支持:021-
更多参数信息:
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏*至源*电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 11A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(*大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 67nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 25V |
功率 - *大 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | TO-262 |
包装 | 管件 |
CER-DIP/陶瓷直插
IRF640NLPBF
N-FET硅N沟道
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型