IRL1404STRLPBF TO-263-3 IR场效应管 MOS管 N通道 原装*现货
地区：上海 上海市
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无
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上 海 继 阳 电 子 科 技 有 限 公 司
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标准包装 | 1 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏*至源*电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 160A |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 毫欧 @ 95A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)（*大） | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 140nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 25V |
功率 - *大 | 3.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 剪切带 (*) |
SMD(SO)/表面封装
IRL1404STRLPBF
N-FET硅N沟道
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
