供应AOD442 场效应管（MOSFET）N通道 分离式半导体产品 AOS
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标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单路 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 20A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 37A |
Id 时的 Vgs(th)（*大） | 2.7V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 68nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 30V |
功率 - *大 | 60W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装 | 带卷 (TR) |
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AOS/美国万代
AOD442
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
