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数据列表 | IRFZ44*PbF, IRFZ44ELPbF |
产品相片 | D2PAK, TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单路 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | Standard |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 29A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 48A |
Id 时的 Vgs(th)(*大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
功率 - *大 | 110W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
CER-DIP/陶瓷直插
IRFZ44*TRLPBF
N-FET硅N沟道
L/功率放大
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型