供应AOD444 MOS-FBM/全桥组件 N沟道 AOS/美国万代供应商

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更多参数信息:

 

标准包装

2,500

类别

分离式半导体产品

家庭

FET - 单路

系列

-

FET 型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

60 毫欧 @ 12A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

60V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

12A

Id 时的 Vgs(th)(*大)

3V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

10nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

540pF @ 30V

功率 - *大

20W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63

供应商设备封装

TO-252, (D-Pak)

包装

带卷 (TR)

 

 

品牌/商标

AOS/美国万代

型号/规格

AOD444

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道