SUM110P06-08L-E3 VISHAY（威世）高性能的P沟道MOSFET

        SUM110P06-08L-E3 是由 VISHAY（威世）生产的一款 P-Channel MOSFET，属于 TrenchFET 系列。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于多种功率应用场合。

基本信息

• 产品型号：SUM110P06-08L-E3
• 制造商：Vishay Semiconductors（威世半导体）
• 封装形式：TO-263（D2Pak）
• 安装类型：表面贴装（SMT）

电气特性

• 晶体管类型：P沟道
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 连续漏极电流（Id）：110A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）：3V@250μA
• 栅极源极击穿电压（Vgs）：±20V
• 漏源导通电阻（Rds(on)@Vgs,Id）：8毫欧@30A,10V（不同Id,Vgs时的RdsOn(zui大值)）
• 功率耗散（Pd）：272W（Tc）
• 栅极电荷（Qg@Vgs）：160nC@10V（根据某些资料可能有所不同，如240nC@10V）

工作条件

• 工作温度：-55℃~+175℃
• 存储温度：-55℃~+175℃

物理特性

• 引脚数：3Pin
• 高度：1.77mm
• 尺寸（长x宽）：10.41mm x 9.65mm
• 重量：约1.438g

其他特性

• ren证信息：RoHS
• 是否无铅：是
• 系列：TrenchFET
• 湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
• 零件状态：Active

应用领域

SUM110P06-08L-E3作为一款高性能的P沟道MOSFET，广泛应用于各种需要高电流、高电压处理的电路中，如电源管理、电机控制、工业自动化等领域。

采购渠道:

         主营ONSEMI , VISHAY , NXP , INFINEON , ST ,DIODES , TI 等进口品牌现货分销及原厂订货业务，服务应用于消费类电子，汽车电子，影音视频产品，电脑及其周边，通讯和工控，物联网及人工智能，新能源领域等；是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司。

   公司业务为电源管理，功率器件以及MCU等产品分销,主营ONSEMI,VISHAY,NXP,ST,INFINEON,DIODES,ADI以及TI等进口品牌, 经营车规系列MOSFET,LDO与LOGIC，比较器以及稳压器件等,AC-DC/DC-DC电源管理,高/中/低压全封装类型MOSFET,HV驱动及SR同步整流IC,FRD/IGBT单管,MCU,ESD/TVS管，功率电感等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司；授权代理西安鼎芯微电子电源管理IC及台湾竹懋桥堆，整流桥等相关系列产品。