SQJA68EP-T1_GE3 VISHAY（威世）汽车级N沟道功率MOSFET

        Vishay（威世）的SQJA68EP-T1_GE3是一款汽车级N沟道功率MOSFET，具备以下特性和参数：

基本信息

• 型号：SQJA68EP-T1_GE3
• 制造商：Vishay / Siliconix
• 产品种类：MOSFET
• RoHS：是
• 技术：Si（硅）

电气特性

• 晶体管极性：N-Channel（N沟道）
• 通道数量：1 Channel（单通道）
• Vds-漏源极击穿电压：100 V
• Id-连续漏极电流：14 A
• Rds On-漏源导通电阻：76.5 mOhms
• Vgs - 栅极-源极电压：±20 V
• Vgs th-栅源极阈值电压：1.5 V
• Qg-栅极电荷：4.7 nC
• Pd-功率耗散：45 W

物理特性

• 安装风格：SMD/SMT（表面贴装）
• 封装/箱体：PowerPAK-SO-8-4
• zui小工作温度：-55 C
• zui大工作温度：+175 C

性能参数

• 通道模式：Enhancement（增强型）
• 资格：AEC-Q101（汽车电子元件质量ren证）
• 晶体管类型：1 N-Channel（单N沟道）
• 下降时间：5 ns
• 上升时间：5 ns
• 典型关闭延迟时间：15 ns
• 典型接通延迟时间：9 ns

应用领域

SQJA68EP-T1_GE3由于其高电压、高电流和宽温度范围的特点，适用于多种需要高效能MOSFET的电路应用，包括但不限于电源管理、电机驱动、汽车电子、工业控制等领域。

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   公司业务为电源管理，功率器件以及MCU等产品分销,主营ONSEMI,VISHAY,NXP,ST,INFINEON,DIODES,ADI以及TI等进口品牌, 经营车规系列MOSFET,LDO与LOGIC，比较器以及稳压器件等,AC-DC/DC-DC电源管理,高/中/低压全封装类型MOSFET,HV驱动及SR同步整流IC,FRD/IGBT单管,MCU,ESD/TVS管，功率电感等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司；授权代理西安鼎芯微电子电源管理IC及台湾竹懋桥堆，整流桥等相关系列产品。