SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY（威世） 高压MOSFET

        VISHAY 威世的 SIHH100N60E-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），主要用于高压和高功率应用。该 IGBT 适用于各种高功率应用，包括逆变器、电机驱动、焊接设备和电源转换器等。

一、基本信息

• 产品名称：SIHH100N60E-T1-GE3
• 制造商：Vishay Siliconix（威世硅尼克斯，VISHAY威世旗下品牌）
• 产品类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

二、电气特性

• 漏源极击穿电压（Vds）：600V
  • 这表明该MOSFET能够承受的zui大反向电压为600V，是其在开关应用中承受电压的关键指标。
• 连续漏极电流（Id）：28A(Tc)
  • 表示在特定条件下（如结温Tc），该MOSFET能够持续通过的zui大电流为28A。
• 漏源导通电阻（Rds On）：100mOhms
  • 这是MOSFET在导通状态下的电阻值，较低的Rds On值有助于提高器件的效率和降低功耗。
• 栅极-源极电压（Vgs）：-30V, +30V
  • 定义了栅极相对于源极的zui大和zui小电压范围。
• 栅源极阈值电压（Vgs th）：未直接给出具体数值，但通常此类参数用于指示MOSFET开始导通的栅极电压阈值。

三、封装与安装

• 封装形式：PowerPAK  8 x 8
  • 这是一种专为高功率应用设计的封装形式，具有良好的散热性能和电气性能。
• 安装类型：表面贴装型（SMD/SMT）
  • 表明该MOSFET适合通过表面贴装技术（如SMT）安装在电路板上。

四、温度范围

• 工作温度：-55 C ~ 150 C(TJ)
  • 定义了MOSFET正常工作的温度范围，包括zui低工作温度和zui高结温。

五、其他特性

• 功率耗散（Pd）：174W(Tc)
  • 表示在特定条件下（如结温Tc），MOSFET能够耗散的zui大功率。
• RoHS状态：符合ROHS3规范
  • 表明该产品符合欧盟关于限制使用某些有害物质的指令要求。

六、应用与用途

• 应用领域：由于该MOSFET具有高电压、大电流和良好散热性能的特点，它通常被用于需要高功率处理的电路中，如工业电机控制、电源转换、开关模式电源（SMPS）等。

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