SI7852DP-T1-GE3 VISHAY（威世）N沟道80V（D-S）MOSFET

        Vishay（威世）的SI7852DP-T1-GE3是一款N沟道80V（D-S）MOSFET。

一、基本信息

• 品牌：Vishay（威世）
• 型号：SI7852DP-T1-GE3
• 封装：PowerPAK SO-8（这是一种紧凑且高效的封装形式，适用于高密度应用）

二、电气特性

• 漏源极击穿电压（Vds）：80V。这表示在栅极和源极之间电压为零时，漏极和源极之间能承受的zui大电压。
• 连续漏极电流（Id）：
  • 根据不同来源，该值可能有所不同。一种说法是7.6A，另一种说法是30A。这取决于具体的应用条件和测试条件。
• 漏源导通电阻（Rds On）：
  • 16.5mΩ@10V, 10A，即在栅极-源极电压为10V，漏极电流为10A时，漏源导通电阻为16.5mΩ。
  • 另一种说法是17mOhms，这可能是在不同条件下的测试值。
• 栅极-源极电压（Vgs）：范围从-20V到%2B20V。
• 栅源极阈值电压（Vgs th）：
  • 2V@250uA，即在漏极电流为250uA时，栅极-源极阈值电压为2V。
  • 另一种说法是2.5V，这取决于具体的测试条件和标准。
• 栅极电荷（Qg）：
  • 41nC@10V，即在栅极-源极电压为10V时，栅极电荷为41nC。
  • 另一种说法是34nC或30.5nC，这取决于具体的测试条件和版本。

三、热特性

• zui小工作温度：-55。C
• zui大工作温度：+150。C
• 
  

四、其他特性

• 晶体管极性：N-Channel（N沟道）
• 通道数量：1 Channel（单通道）
• 配置：Single（单配置）
• 安装方式：SMD/SMT（表面贴装）
• 动态特性：包括上升时间、下降时间、接通延迟时间和关闭延迟时间等，这些值取决于具体的测试条件和标准，不同来源可能给出不同的数值。

五、应用领域

由于SI7852DP-T1-GE3具有较高的漏源极击穿电压和较低的漏源导通电阻，它非常适用于需要高效能电源管理的应用中，如开关电源、电机控制、汽车电子等领域。

         深圳市言信微科技有限公司（深圳市合众力特科技有限公司）成立于2009年5月,

         主营ONSEMI , VISHAY , NXP , INFINEON , ST ,DIODES , TI 等进口品牌现货分销及原厂订货业务，服务应用于消费类电子，汽车电子，影音视频产品，电脑及其周边，通讯和工控，物联网及人工智能，新能源领域等；是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司。

   公司业务为电源管理，功率器件以及MCU等产品分销,主营ONSEMI,VISHAY,NXP,ST,INFINEON,DIODES,ADI以及TI等进口品牌, 经营车规系列MOSFET,LDO与LOGIC，比较器以及稳压器件等,AC-DC/DC-DC电源管理,高/中/低压全封装类型MOSFET,HV驱动及SR同步整流IC,FRD/IGBT单管,MCU,ESD/TVS管，功率电感等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司；授权代理西安鼎芯微电子电源管理IC及台湾竹懋桥堆，整流桥等相关系列产品。