SI7288DP-T1-GE3 VISHAY(威世) MOSFET

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        VISHAY 威世的 SI7288DP-T1-GE3 是一款 N 沟道 MOSFET,主要用于高效能的电源管理和开关应用。该 MOSFET 适用于各种应用,包括 DC-DC 转换器、马达驱动、LED 驱动等。


一、基本信息

二、技术参数

技术参数数值/描述
晶体管极性N-Channel(N沟道)
通道数量2 Channel(双路)
漏源击穿电压40 V(Vds)
漏极电流20 A(Id)
漏源电阻19 mOhms(Rds On)@10V
栅极电压-20 V, %2B20 V(Vgs)
栅源极阈值电压1.2 V(Vgs th)
栅极电荷15 nC(Qg)
耗散功率15.6 W(Pd)
通道模式Enhancement(增强型)
配置Dual(双路)
下降时间8 ns
正向跨导39 S(值)
上升时间8 ns
典型关闭延迟时间14 ns
典型接通延迟时间7 ns

三、物理特性

四、应用与特点




         深圳市言信微科技有限公司(深圳市合众力特科技有限公司)成立于2009年5月,

         主营ONSEMI , VISHAY , NXP , INFINEON , ST ,DIODES TI 等进口品牌现货分销及原厂订货业务,服务应用于消费类电子,汽车电子,影音视频产品,电脑及其周边,通讯和工控,物联网及人工智能,新能源领域等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司。

   公司业务为电源管理,功率器件以及MCU等产品分销,主营ONSEMI,VISHAY,NXP,ST,INFINEON,DIODES,ADI以及TI等进口品牌, 经营车规系列MOSFET,LDO与LOGIC,比较器以及稳压器件等,AC-DC/DC-DC电源管理,高/中/低压全封装类型MOSFET,HV驱动及SR同步整流IC,FRD/IGBT单管,MCU,ESD/TVS管,功率电感等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司;授权代理西安鼎芯微电子电源管理IC及台湾竹懋桥堆,整流桥等相关系列产品。




型号/规格

SI7288DP-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY

封装形式

PowerPAK-SO-8 Dual

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

中功率