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VISHAY 威世的 SI7288DP-T1-GE3 是一款 N 沟道 MOSFET,主要用于高效能的电源管理和开关应用。该 MOSFET 适用于各种应用,包括 DC-DC 转换器、马达驱动、LED 驱动等。
一、基本信息
技术参数 | 数值/描述 |
---|---|
晶体管极性 | N-Channel(N沟道) |
通道数量 | 2 Channel(双路) |
漏源击穿电压 | 40 V(Vds) |
漏极电流 | 20 A(Id) |
漏源电阻 | 19 mOhms(Rds On)@10V |
栅极电压 | -20 V, %2B20 V(Vgs) |
栅源极阈值电压 | 1.2 V(Vgs th) |
栅极电荷 | 15 nC(Qg) |
耗散功率 | 15.6 W(Pd) |
通道模式 | Enhancement(增强型) |
配置 | Dual(双路) |
下降时间 | 8 ns |
正向跨导 | 39 S(值) |
上升时间 | 8 ns |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
典型接通延迟时间 | 7 ns |
深圳市言信微科技有限公司(深圳市合众力特科技有限公司)成立于2009年5月,
主营ONSEMI , VISHAY , NXP , INFINEON , ST ,DIODES , TI 等进口品牌现货分销及原厂订货业务,服务应用于消费类电子,汽车电子,影音视频产品,电脑及其周边,通讯和工控,物联网及人工智能,新能源领域等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司。
公司业务为电源管理,功率器件以及MCU等产品分销,主营ONSEMI,VISHAY,NXP,ST,INFINEON,DIODES,ADI以及TI等进口品牌, 经营车规系列MOSFET,LDO与LOGIC,比较器以及稳压器件等,AC-DC/DC-DC电源管理,高/中/低压全封装类型MOSFET,HV驱动及SR同步整流IC,FRD/IGBT单管,MCU,ESD/TVS管,功率电感等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司;授权代理西安鼎芯微电子电源管理IC及台湾竹懋桥堆,整流桥等相关系列产品。
SI7288DP-T1-GE3
VISHAY
PowerPAK-SO-8 Dual
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
中功率
SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY(威世) 高压MOSFET
YFW6H03S SOP-8 场效应管 YFW佑风微
YFW6N65AMJ TO-251场效应管 YFW佑风微
YFW65N03DF PDFN3*3-8L 场效应管 YFW佑风微
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